

Тел./факс: +7 (495) 966 2814
Вакуумные напылительные установки
Оборудование для вакуумных напылительных установок
Бессеточные ионные источники END-HALL серии еН
Ионные источники (ИИ) серии еН будут идеальным выбором, где требуется высокая плотность ионного пучка и небольшие энергии ионов в пучке. Высокая плотность пучка обеспечит качественное ионное ассистирование даже в процессах с высокой скоростью вакуумного напыления, в то время как низкая энергетичность ионов исключит разрушение подложки или напыляемого слоя.
Компактные ионные источники (или как их ещё иногда называют: ионные пушки) серии еН, генерирующие расходящийся пучок ионов, выпускаются в большом диапазоне размеров, что позволяет их использовать как в научных исследованиях, так и в системах для серийного производства. Большое значение силы тока ионного пучка удовлетворяет самым критичным приложениям с большими скоростями нанесения тонких плёнок в вакууме. Низкая энергия ионов позволяет оптимальным образом осуществлять ассистирование процессу напыления, не разрушая или как-то негативно влияя на напыляемую плёнку. Большая расходимость пучка обеспечивает высокую равномерность покрытия ионным пучком напыляемой зоны.
Ионные источники серии еН компании Кауфман-энд-Робнисон благодаря своей низкоэнергетичности и высокой плотности находят применение во многих
областях, связанных с вакуумным напылением или обработкой поверхности в вакууме, например:
- Ионно-лучевое ассистирование процессу вакуумного напыления
- Чистка и активирование напыляемой подложки перед процессом вакуумного напыления
- Низкоэнергетичное травление ионным пучком
- Модификация свойств поверхности
- Ионное осаждение по подложку со смещением потенциала
Все модели ионных источников серии еН имеют запатентованный модульный анод. Проста демонтажа и монтажа анодного блока значительно упрощает его сервисное обслуживание.
Ионные источники серии еН могут работать со следующими газами: Ar, O2, N2, H2, органические прекурсоры, иные газы (если вы собираетесь работать с каким-то редким газом, перед покупкой ионного источника вначале свяжитесь с нами).
Характеристики ионных источников серии еН | eH200 | eH400 eH400LE | eH1000 eH1000LE eH1000LO | eH1000xO2 (оптимизирован для работы с кислородом) | eH2000 eH2000LE eH2000LO | eH3000 eH3000LO eH3000MO |
Тип катода (нейтрализатора)
НН – нить накала ПК – полый катод |
НН или ПК | НН или ПК | НН или ПК | НН или ПК | НН или ПК ПК ПК |
ПК |
Ø разрядной камеры | ~ 2 см | ~ 4 см | ||||
Высота ИИ | 2.0” | 3.0” | 4.0” | 4.0” | 4.0” | 6.0” |
Диаметр ИИ | 2.5” | 3.7” | 5.7” | 5.7” | 5.7” | 9.7” |
Угол расходимости пучка ИИ | > 45º | > 45º | > 45º | > 45º | > 45º | > 45º |
Напряжение в разрядной камере ИИ | 30 – 300 В | 50-300 В 30 – 150 В |
50-300 В 30 – 150 В 50 – 300 В |
100-300 В | 50-300 В 30 – 150 В 50 – 250 В |
50-250 В 50-300 В 50-250 В |
Ток в разрядкой камере ИИ | 2А | 5 А 10 А |
10A 12A 5A |
10 А | 10A 15A 15A |
20A 10A 15A |
Типичные значения потока, ст. см3/мин | 1 - 15 | 2 - 25 | 2 - 50 | 2 - 50 | 2 - 75 | 5 - 100 |
Водяное охлаждение | нет | опционно | опционно | опционно | да | опционно |
При заказе ионного источника учтите режим его работы. По умолчанию ионные источники поставляются без водяного охлаждения (кроме еН2000). Если планируется длительная работа ионного источника в вакуумной камере, в которой присутствует повышенное тепловое излучение (от источников испарения или от нагревательных элементов), рекомендуется устанавливать ионный источник с водяным охлаждением анода.
Также для некоторых приложений рекомендуется использовать более дорогой нейтрализатор на базе полого катода, а не на базе нити накала. Так как в полом катоде нет нити накаливания, которая находится на пути или рядом с распространением ионного пучка, ионный пучок, нейтрализация которого происходит с помощью полого катода, будет более чистым (хотя нужно понимать, что даже в случае с нитью накала речь идёт о загрязнении пучка в миллионные доли грама в час). Чистка ионным источником с любым нейтрализатором – на порядки более чистый процесс по сравнению с чисткой подложки плазмой тлеющего разряда или ВЧ плазмой.
Преимущества ионных источников серии еН:
|
![]() |
Встроенный электронный эмиттер на базе нити накаливания (опционно – эмиттер на базе полого катода)
|
Модульный анод (анод и газовая система) | ||
Основной модуль. Включает магнитную систему, электрические и газовые вводы | ||
Кронштейн для регулировки угла наклона ионного источника (опционно) |
Бессеточные ионные источники серии еН имеют более привлекательную цену по сравнению с сеточными ионными источниками, надёжны в работе, просты в обслуживании.
Для консультаций по поводу правильного выбора ионного источника для своего приложения пожалуйста обратитесь к нашим специалистам.
Бессеточные ионные источники END-HALL серии
EН
Сеточные ионные источники серии RFICP
Сеточные ионные источники серии KDC
Блоки питания и контроллеры для питания и управления ионными источниками
Источники электронов
Ионная оптика серии OPTIBEAMTMTM